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Institut de minéralogie, de physique des matériaux et de cosmochimie
UMR 7590 - UPMC/CNRS/IRD/MNHN

Soutenance de thèse de Zhesheng Chen - 10 septembre 2015 à 14 h

IMPMC, Université P. et M. Curie, 4, Place Jussieu, 75005 Paris

Salle de conférence, 4e étage, Tour 22-23, Salle 1

Two Dimensional Material Devices: From fabrication to Photo-detection

 

 

 

 

 

Résumé

 

Au delà du graphène, de nouveaux semiconducteurs 2D tels que MoS_2 , GaS, GaSe et InSe deviennent pertinents pour les applications et dispositifs émergents. Dans cette thèse, nous fabriquons des échantillons de quelques feuillets atomiques de ces matériaux pour des dispositifs de photo-détecteurs et les caractérisons par microscopie optique, AFM et TEM. L'interaction de la lumière avec le substrat et le dispositif ultra-mince étant critique pour son fonctionnement, nous calculons et mesurons le contraste et l'intensité de la lumière diffusée par le dispositif. Nous caractérisons également la réponse Raman et la photoluminescence en fonction du nombre de couches pour étudier les propriétés vibrationnelles et électroniques. Plusieurs dispositifs ont été fabriqués et analysés. Nous examinons d'abord les dispositifs homogènes basés sur MoS_2 , GaSe ou InSe, et trouvons une excellente photosensibilité pour notre photo-détecteur MoS_2 . Nous examinons ensuite plusieurs hétéro-structures pour combiner les propriétés de chaque matériau et atteindre de meilleures performances. Le premier exemple est un photo-détecteur graphène/InSe dont la photosensibilité augmente de quatre ordres de grandeur par rapport à un dispositif basés sur InSe seul. Nous montrons également que la couche supérieure de graphène prévient la dégradation de couches atomiques ultra-minces dans l'air. Des hétéro-structures plus complexes graphène/InSe/graphène et graphène/InSe/Au montrent un effet photovoltaïque. Enfin, nous combinons InSe avec MoS_2 et obtenons un dispositifs avec photo-réponse rapide, un comportement de type photo-diode, une distribution de photo-courant uniforme et un fort effet photovoltaïque.

 

Composition du jury

M. CORAUX Johann, rapporteur
M. VIVIEN Laurent, rapporteur
M. DAPPE Yannick, examinateur
M. TIGNON Jérôme, examinateur
M. SHUKLA Abhay, directeur de thèse

 

 

Cécile Duflot - 17/02/16

Traductions :

    L’interaction répulsive entre paires de Cooper au cœur de la supraconductivité à haute température critique

    Trente ans après sa découverte en 1986 par Bednorz et Müller, la supraconductivité à haute température critique (HTc) demeure encore une énigme. Deux questions se posent afin de comprendre ce phénomène : quelle est l’origine physique des paires de Cooper et quel est le mécanisme de condensation ? C’est...

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    Institut de minéralogie, de physique des matériaux et de cosmochimie - UMR 7590

    Université Pierre et Marie Curie - 4, place Jussieu - BC 115 - 75252 Paris Cedex 5

     

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    Université Pierre et Marie Curie - 4, place Jussieu - Tour 23 - Barre 22-23, 4e étage - 75252 Paris Cedex 5

     

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